Solo per riferimento
Numero parte | NVR5198NLT3G |
LIXINC Part # | NVR5198NLT3G |
Produttore | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | NVR5198NLT3G Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 29 - Oct 03 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | NVR5198NLT3G |
Marca: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Not For New Designs |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 60 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 1.7A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 155mOhm @ 1A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.5V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 5.1 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 182 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 900mW (Ta) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | SOT-23-3 (TO-236) |
pacchetto/caso: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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STW56N65M2-4 | MOSFET N-CH 650V 49A TO247-4L | 945 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 11045 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.57000 | $0.57 |
10000 | $0.15542 | $1554.2 |
30000 | $0.14325 | $4297.5 |
50000 | $0.13817 | $6908.5 |
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