BSZ068N06NSATMA1

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Numero parte BSZ068N06NSATMA1
LIXINC Part # BSZ068N06NSATMA1
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione BSZ068N06 - 12V-300V N-CHANNEL P
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD BSZ068N06NSATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 29 - Oct 03 2024(Scegli spedizione rapida)
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BSZ068N06NSATMA1 Specifiche

Numero parte:BSZ068N06NSATMA1
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:OptiMOS™
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:40A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:6.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.3V @ 20µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:21 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1.5 pF @ 30 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.1W (Ta), 46W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TSDSON-8-FL
pacchetto/caso:8-PowerTDFN

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