IPN80R600P7ATMA1

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Numero parte IPN80R600P7ATMA1
LIXINC Part # IPN80R600P7ATMA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 800V 8A SOT223
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IPN80R600P7ATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 28 - Oct 02 2024(Scegli spedizione rapida)
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IPN80R600P7ATMA1 Specifiche

Numero parte:IPN80R600P7ATMA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:CoolMOS™ P7
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):800 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:600mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.5V @ 170µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:20 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:570 pF @ 500 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):7.4W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-SOT223
pacchetto/caso:TO-261-3

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