Solo per riferimento
Numero parte | NTMS4916NR2G |
LIXINC Part # | NTMS4916NR2G |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | NTMS4916NR2G Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 28 - Oct 02 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | ![]() |
Spedizione | ![]() |
Numero parte: | NTMS4916NR2G |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | - |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 30 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 7.8A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 9mOhm @ 12A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.5V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 15 nC @ 4.5 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1.376 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 890mW (Ta) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 8-SOIC |
pacchetto/caso: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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In magazzino | 13188 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.35000 | $0.35 |
2500 | $0.35000 | $875 |
5000 | $0.32586 | $1629.3 |
12500 | $0.31379 | $3922.375 |
25000 | $0.30721 | $7680.25 |
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