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Numero parte | STB4NK60Z-1 |
LIXINC Part # | STB4NK60Z-1 |
Produttore | STMicroelectronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | STB4NK60Z-1 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 28 - Oct 02 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | STB4NK60Z-1 |
Marca: | STMicroelectronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | STMicroelectronics |
serie: | SuperMESH™ |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Not For New Designs |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 600 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 4A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 2Ohm @ 2A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4.5V @ 50µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 26 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±30V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 510 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 70W (Tc) |
temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | I2PAK |
pacchetto/caso: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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In magazzino | 10991 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.91000 | $0.91 |
50 | $0.73365 | $36.6825 |
100 | $0.66027 | $66.027 |
500 | $0.51353 | $256.765 |
1000 | $0.42550 | $425.5 |
2500 | $0.39615 | $990.375 |
5000 | $0.38148 | $1907.4 |
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