STB4NK60Z-1

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Numero parte STB4NK60Z-1
LIXINC Part # STB4NK60Z-1
Produttore STMicroelectronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD STB4NK60Z-1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 28 - Oct 02 2024(Scegli spedizione rapida)
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STB4NK60Z-1 Specifiche

Numero parte:STB4NK60Z-1
Marca:STMicroelectronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:STMicroelectronics
serie:SuperMESH™
pacchetto:Tube
stato della parte:Not For New Designs
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:4A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.5V @ 50µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:26 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:510 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):70W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:I2PAK
pacchetto/caso:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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