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Numero parte | STFI10N62K3 |
LIXINC Part # | STFI10N62K3 |
Produttore | STMicroelectronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | STFI10N62K3 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 29 - Oct 03 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | STFI10N62K3 |
Marca: | STMicroelectronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | STMicroelectronics |
serie: | SuperMESH3™ |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 620 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 8.4A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 750mOhm @ 4A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4.5V @ 100µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 42 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±30V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1250 pF @ 50 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 30W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | I2PAKFP (TO-281) |
pacchetto/caso: | TO-262-3 Full Pack, I²Pak |
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In magazzino | 12434 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.16000 | $2.16 |
50 | $1.60385 | $80.1925 |
100 | $1.51999 | $151.999 |
500 | $1.34174 | $670.87 |
1000 | $1.33412 | $1334.12 |
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