IPW60R190C6FKSA1 | Rochester Electronics IPW60R190C6FKSA1 | IPW60R190C6FKSA1 Inventory, Best Pricing

IPW60R190C6FKSA1

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Numero parte	IPW60R190C6FKSA1
LIXINC Part #	IPW60R190C6FKSA1
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	IPW60R190 - 600V COOLMOS N-CHANN
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPW60R190C6FKSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 29 - Oct 03 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPW60R190C6FKSA1 Specifiche

Numero parte:	IPW60R190C6FKSA1
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	CoolMOS™
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	20.2A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	190mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.5V @ 630µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	63 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	1.4 pF @ 100 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	151W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TO247-3
pacchetto/caso:	TO-247-3

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