IPD80N06S3-09

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Numero parte IPD80N06S3-09
LIXINC Part # IPD80N06S3-09
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IPD80N06S3-09 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IPD80N06S3-09 Specifiche

Numero parte:IPD80N06S3-09
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:OptiMOS™
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):55 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:80A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:8.4mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 55µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:88 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:6.1 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):107W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO252-3
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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