IPD25N06S4L30ATMA2

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Numero parte IPD25N06S4L30ATMA2
LIXINC Part # IPD25N06S4L30ATMA2
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IPD25N06S4L30ATMA2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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IPD25N06S4L30ATMA2 Specifiche

Numero parte:IPD25N06S4L30ATMA2
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:25A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:30mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.2V @ 8µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:16.3 nC @ 10 V
vgs (massimo):±16V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1220 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):29W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TO252-3-11
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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