IPD50N06S4L08ATMA2 | IR (Infineon Technologies) IPD50N06S4L08ATMA2 | IPD50N06S4L08ATMA2 Inventory, Best Pricing

IPD50N06S4L08ATMA2

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Numero parte	IPD50N06S4L08ATMA2
LIXINC Part #	IPD50N06S4L08ATMA2
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPD50N06S4L08ATMA2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 29 - Oct 03 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPD50N06S4L08ATMA2 Specifiche

Numero parte:	IPD50N06S4L08ATMA2
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	50A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	7.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.2V @ 35µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	64 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±16V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	4780 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	71W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TO252-3-11
pacchetto/caso:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AON6512	MOSFET N-CH 30V 54A/150A 8DFN	889 Maggiori informazioni su Ordine
IPA60R099C7XKSA1	MOSFET N-CH 600V 12A TO220-FP	2459 Maggiori informazioni su Ordine
TSM340N06CH X0G	MOSFET N-CHANNEL 60V 30A TO251	13247 Maggiori informazioni su Ordine
TN0604N3-G-P005	MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3	882 Maggiori informazioni su Ordine
AON6312	MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN	982 Maggiori informazioni su Ordine
FQU2N60CTU	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	9157 Maggiori informazioni su Ordine
FDS6690A	MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC	16298 Maggiori informazioni su Ordine
NTBG020N120SC1	SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK	1885 Maggiori informazioni su Ordine
APT60M75L2LLG	MOSFET N-CH 600V 73A 264 MAX	898 Maggiori informazioni su Ordine
IRFB18N50K	MOSFET N-CH 500V 17A TO220AB	805 Maggiori informazioni su Ordine
TK62N60W,S1VF	MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247	801 Maggiori informazioni su Ordine
IXTA08N50D2	MOSFET N-CH 500V 800MA TO263	1343756 Maggiori informazioni su Ordine
APT10035JLL	MOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP	836 Maggiori informazioni su Ordine