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Numero parte | IPB016N06L3GATMA1 |
LIXINC Part # | IPB016N06L3GATMA1 |
Produttore | IR (Infineon Technologies) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | IPB016N06L3GATMA1 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 28 - Oct 02 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | IPB016N06L3GATMA1 |
Marca: | IR (Infineon Technologies) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
serie: | OptiMOS™ |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 60 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 180A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 1.6mOhm @ 100A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.2V @ 196µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 166 nC @ 4.5 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 28000 pF @ 30 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 250W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | PG-TO263-7 |
pacchetto/caso: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
SIHD186N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 19A DPAK | 3424 Maggiori informazioni su Ordine |
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SIHA180N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 19A TO220 | 1887 Maggiori informazioni su Ordine |
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DMP1055USW-7 | MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363 | 954 Maggiori informazioni su Ordine |
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IRL3803STRRPBF | MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK | 806 Maggiori informazioni su Ordine |
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SUD19P06-60-E3 | MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252 | 1554 Maggiori informazioni su Ordine |
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IXTA2R4N120P | MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263 | 1007 Maggiori informazioni su Ordine |
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CSD19505KTT | MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK | 2388 Maggiori informazioni su Ordine |
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IRFR3707PBF | MOSFET N-CH 30V 61A DPAK | 875 Maggiori informazioni su Ordine |
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STD7N80K5 | MOSFET N-CH 800V 6A DPAK | 3296 Maggiori informazioni su Ordine |
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DMN3065LW-13 | MOSFET N-CH 30V 4A SOT323 | 62422 Maggiori informazioni su Ordine |
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IPI076N15N5AKSA1 | MV POWER MOS | 1310 Maggiori informazioni su Ordine |
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FQB6N40CTM | MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK | 883 Maggiori informazioni su Ordine |
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DMG9N65CT | MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB | 832 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10870 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.47000 | $3.47 |
1000 | $2.70296 | $2702.96 |
2000 | $2.56782 | $5135.64 |
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